Philippe ROUX 2004 JONCTION PN ET TRANSISTORS EN HAUTES FREQUENCES

Philippe ROUX 2004 JONCTION TRANSISTORS HAUTES FREQUENCES JONCTION TRANSISTORS HAUTES FREQUENCES Iere PARTIE JONCTION Jonction Polarisee Inverse Capacite Transition Considerons

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Philippe ROUX 2004 JONCTION PN ET TRANSISTORS EN HAUTES FREQUENCES JONCTION PN ET TRANSISTORS EN HAUTES FREQUENCES 1 Iere PARTIE LA JONCTION PN 1 Jonction PN Polarisee En Inverse Capacite De Transition C T Considerons En Figure 1 Une Jonction PN Au Silicium De Section S Polarisee En Inverse Par Une Tension V Inv De Part Et Dautre De La Jonction Metallurgique Il Setablit Une Zone De Charge Despace Depaisseur W Due A La Presence Dions De Silicium Negatifs Du Cote P Et Dions De Silicium Positifs Du Cote N Voir Le Document Theorie Generale Du Semi Conducteur La Jonction Est Traversee Par Un Courant I S De Valeur Tres Faible Et Sa Resistance R Inv Est Elevee Si P N A Si N N D V Inv AK W Ions Ions Section S Q P X N N D Q N X P N A X P X N Figure 1 Jonction PN Polarisee En Inverse On Rappelle Que La Zone De Charge Despace Vide De Porteurs Libres Setend Sur Une Distance W W Q NN VV Si Ad Inv 211 0 Εε Φ 1

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